双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨(VI) ,406462-43-9

双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨(VI)

基本信息
产品名称：	双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨(VI)
CAS：	406462-43-9
中文同义词：	双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨(VI)
英文同义词：	BIS(TERT-BUTYLIMINO)BIS(DIMETHYLAMINO)TUNGSTEN(VI) ; BTBMW ; BIS(TERT-BUTYLIMIDO)BIS(DIMETHYLAMIDO)TUNGSTEN
MDL号：	MFCD07369712
氢键受体数量：	4
氢键供体数量：	0
Smile：	CC(C)(C)N=[W](=NC(C)(C)C)(N(C)C)N(C)C
InChi：	InChI=1S/2C4H9N.2C2H6N.W/c21-4(2,3)5;21-3-2;/h21-3H3;21-2H3;/q;;2*-1;+2
InChiKey：	InChIKey=JVCWKXBYGCJHDF-UHFFFAOYSA-N
性质
沸点：	81 DEG C/0.02 MMHG(LIT)
密度：	1.305g/mLat25°C(lit.)
物理性质：	FLASHPOINT: 13 DEG C FLASHPOINT: 55.4 DEG F
注解：	APPLICATION: PRECURSOR FOR THE DEPOSITION OF TUNGSTEN CARBIDE AND -NITRIDE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION FORM: LIQUID FREQUENTLY ASKED QUESTIONS: LIVE CHAT AND FREQUENTLY ASKED QUESTIONS ARE AVAILABLE FOR THIS PRODUCT GENERAL DESCRIPTION: ATOMIC NUMBER OF BASE MATERIAL: 74 TUNGSTEN PROTOCOLS AND APPLICATIONS: PRECURSORS PACKAGED FOR DEPOSITIONS SYSTEMS RIDADR: UN 3398 4.3/PG 1 UNSPSC: 12352103 WGK: 3
安全信息
符号：	GHS02 GHS05
信号词：	Danger
危险声明：	H260-H314
警示性声明：	P223-P231 + P232-P280-P305 + P351 + P338-P370 + P378-P422
危害码：	F,C
风险声明：	R:11-15-34
安全声明：	S:26-36/37/39-43-45
WGK德国：	3

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